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       香港半導體器件型號命名方法 半導體器件型號由五部門（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部門）組成。五個部門意義如下： 第一部門：用數字表示半導體器件有效電極數量。2-二極管、3-三極管 第二部門：用漢語拼音字母表示半導體器  半導體 件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部門：用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-地道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部門：用數字表示序號 第五部門：用漢語拼音字母表示規格號 例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管 

     日本半導體分立器件型號命名方法 日本出產的半導體分立器件，由五至七部門組成。通常只用到前五個部門，其各部門的符號意義如下： 第一部門：用數字表示器件有效電極數量或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。 第二部門：日本電子產業協會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子產業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。 第三部門：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結晶體管、J-P溝道場效應管、K-N 溝道場效應管、M-雙向可控硅。 第四部門：用數字表示在日本電子產業協會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從“11”開始，表示在日本電子產業協會JEIA登記的順序號；不同公司的機能相同的器件可以使用統一順序號；數字越大，越是最新產品。 第五部門：用字母表示統一型號的改進型產品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產品的改進產品。 美國半導體分立器件型號命名方法 美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子產業協會半導體分立器件命名方法如下： 第一部門：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非軍用品。 第二部門：用數字表示pn結數量。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結器件、n-n個pn結器件。 第三部門：美國電子產業協會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子產業協會（EIA）注冊登記。 第四部門：美國電子產業協會登記順序號。多位數字-該器件在美國電子產業協會登記的順序號。 第五部門：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-統一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。

 國際電子聯合會半導體型號命名方法：

 德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部門組成，各部門的符號及意義如下：

      第一部門：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復合材料及光電池使用的材料 

   第二部門：用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關混頻二極管、B-變容二極管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-地道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封鎖磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開關管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩壓二極管。 第三部門：用數字或字母加數字表示登記號。三位數字-代表通用半導體器件的登記序號、一個字母加二位數字-表示專用半導體器件的登記序號。 第四部門：用字母對統一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示統一型號的器件按某一參數進行分檔的標志。 除四個基本部門外，有時還加后綴，以區別特性或進一步分類。常見后綴如下： 1．穩壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部門是一個字母，表示不亂電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后綴第二部門是數字，表示標稱不亂電壓的整數數值；后綴的第三部門是字母V，代表小數點，字母V之后的數字為穩壓管標稱不亂電壓的小數值。 2．整流二極管后綴是數字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。 3．晶閘管型號的后綴也是數字，通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關斷電壓中數值較小的那個電壓值。 如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。 五、歐洲早期半導體分立器件型號命名法 

       歐洲有些國家命名方法 第一部門：O-表示半導體器件 第二部門：A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩壓管、RP-光電器件。 第三部門：多位數字-表示器件的登記序號。 第四部門：A、B、C┄┄-表示統一型號器件的變型產品。 未來發展編纂 以GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體工業的核心和基礎，其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。GaN基光電器件中，藍色發光二極管LED率先實現商品化出產 成功開發藍光LED和LD之后，科研方向轉移到GaN紫外光探測器上 GaN材料在微波功率方面也有相稱大的應用市場。氮化鎵半導體開關被譽為半導體芯片設計上一個新的里程碑。美國佛羅里達大學的科學家已經開發出一種可用于制造新型電子開關的重要器件，這種電子開關可以提供平穩、無中斷電源 [